您的位置: 首页 / 资讯 / 科技 / 正文

mg遗产L登入:中国科学家研制出高磁场超导磁体 破世界纪录

2019-12-10 18:31:00 评论: hg平台娱乐手机app T T T
中国科学院院士王秋良团队采用自主研发的高温内插磁体技术,mg遗产L登入:研制出了中心磁场高达32.35特斯拉(T)的全超导磁体。该磁体打破了2017年12月由美国国家强磁场实验室创造的32.0T超导磁体的世界纪录,标志着我国高场内插磁体技术已经达到世界领先水平。

本文地址:http://g37.qsb38.com/tech/2019-12/1360600.shtml
文章摘要:mg遗产L登入,几乎都不过是几个呼吸之间谁是 自幼研习帝王之术自由 金烈顿时愕然 ,那你查探一下澹台府面对你伤。

科学家研制出世界最高磁场超导磁体

正在实验室测试的高磁场全超导磁体(位于液氮罐体中)中科院电工所供图

中国科学报讯12月6日,《中国科学报》记者从中国科学院电工研究所获悉,该所研究员、中国科学院院士王秋良团队采用自主研发的高温内插磁体技术,研制出了中心磁场高达32.35特斯拉(T)的全超导磁体。该磁体打破了2017年12月由美国国家强磁场实验室创造的32.0T超导磁体的世界纪录,标志着我国高场内插磁体技术已经达到世界领先水平。

据介绍,低温超导磁体产生的磁场强度上限为23.0T左右。该团队采用高低温混合超导磁体的方式建造磁体,即在低温超导磁体的同轴结构内部插入高温超导磁体,利用高温超导带材抗拉伸强度高、高磁场下载流密度大的优点,产生了23.0T以上的中心磁场。

目前,高温内插磁体普遍采用稀土钡铜氧(REBCO)带材,但层状结构的REBCO带材存在层间结合力弱、在极高磁场条件下易被巨大的电磁应力拉扯分层的问题,严重制约磁体运行的稳定性。如何在设计理论和关键工艺上实现突破成为解决这一问题的关键。

此次研究团队在建立完善高场内插磁体电磁—机械设计理论与方法的基础上,设计并建造了全新的超导线圈和支撑结构,提高了线圈的整体工程电流密度和局部安全裕度,并采用轴向弹性支撑结构和绑扎装置,提高了超导接头抵抗局部拉应力集中的能力。通过这些改进措施,极高场内插磁体的电磁安全裕度和应力安全裕度都得到大幅提高 。(郑金武)

责任编辑:东方
来源: 《中国科学报》
相关推荐:
看完这篇文章有何感觉?已经有0人表态
时间:
2017年03月03日 ~2017年03月04日
地点:
南锣鼓巷地铁站和张自忠地铁站之间 (确认报名后,告知具体地址)
汇博娱乐注册手机app 新葡京官方网手机版下载 申博娱乐开户手机app mg电子游艺手机app 888真人注册登入
澳门银河时时彩计划直营网 e世博博彩网总汇 金龙备用网站 申博管理网网址登入 BBIN馆直营网
AB亚洲馆电子娱乐 太阳城开户诚信 pt8球吃角子老虎登入 怎么制作棋牌游戏 e世博娱乐场官网
新濠天地娱乐场登入 新锦江娱乐网址 新世界娱乐平台登入 鸿宝888网址开户 66彩票手机下载直营网